Платформа виртуализации - 12 ядер, 24 потока + комплект развертывания.

Двухпроцессорная платформа виртуализации на базе сервера SuperMicro 1U на 12-ти процессорных ядрах, обслуживающая 24 программных потока в пространстве 32Gb оперативной памяти. Рекомендуется виртуализация на базе программного обеспечения ProxMox. К платформе добавлена минимальная сетевая инфраструктура необходимая для создания автономной серверной площадки с удаленным доступом, а также источник бесперебойного питания.

Консультант по проекту

Станислав Осиповs.osipov@artlink.ru+7 495 411 94 15Онлайн чат

Ценовой диапазон:

-
Стандарты
Cl 
Питание
Напряжение питания (в)
Память
Буферизованная (registered)
Объем одного модуля (гб)
Объем памяти (гб)
Поддержка ecc 
Пропускная способность (мб/с)
Тактовая частота (мгц)
Охлаждение
Радиатор 
Накопители
Емкость (гб)
Интерфейсы
Интерфейс sata 
Интерфейс 
Интервалы и время
Время наработки на отказ (ч)
Габариты
Высота (мм)
_Общее
_Вес
Tras 
Trcd 
Trp 
Внешняя скорость передачи данных (мб/с)
Количество контактов 
Количество модулей в комплекте 
Количество ранков 
Количество чипов каждого модуля 
Линейка 
Материал корпуса 
Низкопрофильная (low profile)
Поддержка секторов размером 4 кб 
Тип 
Форм-фактор 
7 465.75
Crucial CT204872BB160B

Оперативная память DDR3 16Gb 1600MHz PC-12800 Crucial ECC Reg (CT204872BB160B)

Характеристики
  • Внешняя скорость передачи данных  - 600 (мб/с)
  • Время наработки на отказ  - 1500000 (ч)
  • Высота  - 7 (мм)
  • Емкость  - 480 (гб)
  • Интерфейс sata  - SATA 6Gb/s
  • Линейка  - BX200
  • Назначение  - для ноутбука и настольного компьютера
  • Поддержка секторов размером 4 кб  - есть
  • Скорость записи  - 490 (мб/с)
  • Скорость случайной записи (блоки по 4 кб)  - 78000 (iops)
  • Скорость чтения  - 540 (мб/с)
  • Тип  - SSD
  • Форм-фактор  - 2.5"
2 050.00
Hynix 4Gb DDR3 1600 DIMM

Оперативная память DDR3 4Gb 1600MHz PC-12800 Hynix Original

Характеристики
  • Количество контактов  - 240
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Напряжение питания  - 1.5 (в)
  • Объем одного модуля  - 4 (гб)
  • Пропускная способность  - 12800 (мб/с)
  • Тактовая частота  - 1600 (мгц)
  • Тип  - DDR3
  • Форм-фактор  - DIMM
8 083.00
Kingston KVR16LE11S8/4

Kingston ValueRAM KVR16LE11S8/4 DDR3 DIMM 4Gb PC3-12800 CL11 ECC, Low Voltage

Характеристики
  • Cl  - 11
  • Trcd  - 11
  • Trp  - 11
  • Количество контактов  - 240
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Количество ранков  - 1
  • Напряжение питания  - 1.35 (в)
  • Объем одного модуля  - 4 (гб)
  • Поддержка ecc  - есть
  • Пропускная способность  - 12800 (мб/с)
  • Тактовая частота  - 1600 (мгц)
  • Тип  - DDR3L
  • Форм-фактор  - DIMM
2 010.75
Crucial CT25664AA667

Память DDR2 2Gb (pc2-5300) 667MHz Crucial [Retail] (CT25664AA667), Dimm

Характеристики
  • Cl  - 5
  • Количество контактов  - 240
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Напряжение питания  - 1.8 (в)
  • Объем одного модуля  - 2 (гб)
  • Пропускная способность  - 5300 (мб/с)
  • Тактовая частота  - 667 (мгц)
  • Тип  - DDR2
  • Форм-фактор  - DIMM
1 945.75
Crucial BLE4G3D1869DE1TX0CEU

Crucial Ballistix Elite BLE4G3D1869DE1TX0CEU DDR3 DIMM 4Gb PC3-15000 CL9

Характеристики
  • Cl  - 9
  • Tras  - 27
  • Trcd  - 9
  • Trp  - 9
  • Количество контактов  - 240
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Напряжение питания  - 1.5 (в)
  • Объем одного модуля  - 4 (гб)
  • Пропускная способность  - 14900 (мб/с)
  • Радиатор  - есть
  • Тактовая частота  - 1866 (мгц)
  • Тип  - DDR3
  • Форм-фактор  - DIMM
1 640.00
Crucial BLS4G3D18ADS3CEU

Оперативная память DDR3 4Gb 1866MHz PC-15000 Crucial Ballistix (BLS4G3D18ADS3CEU)

Характеристики
  • Cl  - 10
  • Tras  - 30
  • Trcd  - 10
  • Trp  - 10
  • Количество контактов  - 240
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Напряжение питания  - 1.5 (в)
  • Объем одного модуля  - 4 (гб)
  • Пропускная способность  - 14900 (мб/с)
  • Радиатор  - есть
  • Тактовая частота  - 1866 (мгц)
  • Тип  - DDR3
  • Форм-фактор  - DIMM
1 580.00
Kingston KVR1333D3LS8R9SL/2G

Kingston KVR1333D3LS8R9SL/2G DDR3 DIMM 2Gb PC3-10600 ECC Registered with Parity, Low Profile CL9

Характеристики
  • Cl  - 9
  • Trcd  - 9
  • Trp  - 9
  • Буферизованная - есть (registered)
  • Количество контактов  - 240
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Количество ранков  - 1
  • Количество чипов каждого модуля  - 9
  • Напряжение питания  - 1.35 (в)
  • Низкопрофильная - есть (low profile)
  • Объем одного модуля  - 2 (гб)
  • Поддержка ecc  - есть
  • Пропускная способность  - 10600 (мб/с)
  • Тактовая частота  - 1333 (мгц)
  • Тип  - DDR3L
  • Упаковка чипов  - двусторонняя
  • Форм-фактор  - DIMM
1 270.00
AMD R332G1339S1S-UO

Оперативная память SO-DIMM DDR3 AMD 2Gb 1333MHz PC-10600 (R332G1339S1S-UO) OEM

Характеристики
  • Cl  - 9
  • Tras  - 24
  • Trcd  - 9
  • Trp  - 9
  • Количество контактов  - 204
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Напряжение питания  - 1.5 (в)
  • Объем одного модуля  - 2 (гб)
  • Пропускная способность  - 10600 (мб/с)
  • Тактовая частота  - 1333 (мгц)
  • Тип  - DDR3
  • Форм-фактор  - SODIMM
1 100.25
Kingston KVR800D2S6/1G

Kingston DDR2-800 (PC2-6400) 1Gb SO-DIMM [KVR800D2S6/1G(BK)]

Характеристики
  • Cl  - 6
  • Количество контактов  - 200
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Количество чипов каждого модуля  - 16
  • Напряжение питания  - 1.8 (в)
  • Объем одного модуля  - 1 (гб)
  • Пропускная способность  - 6400 (мб/с)
  • Тактовая частота  - 800 (мгц)
  • Тип  - DDR2
  • Упаковка чипов  - двусторонняя
  • Форм-фактор  - SODIMM
Каталог товаровПохожие товары
Samsung 1600 (M471B5173EB0-YK00)

Samsung DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.35 В, CL 11

Характеристики
  • Cl  - 11
  • Trcd  - 11
  • Trp  - 11
  • Количество контактов  - 204
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Напряжение питания  - 1.35 (в)
  • Объем одного модуля  - 4 (гб)
  • Пропускная способность  - 12800 (мб/с)
  • Тактовая частота  - 1600 (мгц)
  • Тип  - DDR3L
  • Упаковка чипов  - двусторонняя
  • Форм-фактор  - SODIMM
Corsair CMZ4GX3M1A1600C9B

Оперативная память DDR3 4Gb 1600MHz PC-12800 Corsair 9-9-9-24 Vengeance (CMZ4GX3M1A1600C9B)

Характеристики
  • Cl  - 9
  • Tras  - 24
  • Trcd  - 9
  • Trp  - 9
  • Количество контактов  - 240
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Напряжение питания  - 1.5 (в)
  • Объем одного модуля  - 4 (гб)
  • Пропускная способность  - 12800 (мб/с)
  • Радиатор  - есть
  • Тактовая частота  - 1600 (мгц)
  • Тип  - DDR3
  • Форм-фактор  - DIMM
Kingston KVR667D2N5/2G

Kingston DDR2 DIMM 2Gb KVR667D2N5/2G {PC2-5300, 667MHz }

Характеристики
  • Cl  - 5
  • Количество контактов  - 240
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Количество чипов каждого модуля  - 16
  • Напряжение питания  - 1.8 (в)
  • Объем одного модуля  - 2 (гб)
  • Пропускная способность  - 5300 (мб/с)
  • Тактовая частота  - 667 (мгц)
  • Тип  - DDR2
  • Упаковка чипов  - двусторонняя
  • Форм-фактор  - DIMM
Kingston KVR13S9S8/4

Модуль памяти SO-DIMM 4Gb DDR3 SDRAM Kingston "ValueRAM" KVR13S9S8/4 (PC10600, 1333MHz, CL9)

Характеристики
  • Cl  - 9
  • Trcd  - 9
  • Trp  - 9
  • Количество контактов  - 204
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Количество ранков  - 1
  • Количество чипов каждого модуля  - 8
  • Напряжение питания  - 1.5 (в)
  • Объем одного модуля  - 4 (гб)
  • Пропускная способность  - 10600 (мб/с)
  • Тактовая частота  - 1333 (мгц)
  • Тип  - DDR3
  • Упаковка чипов  - двусторонняя
  • Форм-фактор  - SODIMM
Samsung M471B5273DH0-YK0

Samsung DDR3 DIMM 4Gb (PC3L-12800) 1600MHz, ORIGINAL M471B5273DH0-YK0

Характеристики
  • Cl  - 11
  • Trcd  - 11
  • Trp  - 11
  • Количество контактов  - 204
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Напряжение питания  - 1.35 (в)
  • Объем одного модуля  - 4 (гб)
  • Пропускная способность  - 12800 (мб/с)
  • Тактовая частота  - 1600 (мгц)
  • Тип  - DDR3L
  • Упаковка чипов  - двусторонняя
  • Форм-фактор  - SODIMM
Foxline FL800D2S05-2G

Модуль памяти SO-DIMM DDR2 800 PC6400 2Gb Foxline FL800D2S05-2G

Характеристики
  • Cl  - 5
  • Количество контактов  - 200
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Напряжение питания  - 1.8 (в)
  • Объем одного модуля  - 2 (гб)
  • Пропускная способность  - 6400 (мб/с)
  • Тактовая частота  - 800 (мгц)
  • Тип  - DDR2
  • Форм-фактор  - SODIMM
Kingston KVR16LS11/4

Kingston DDR3-1600 4Gb SO-DIMM [KVR16LS11/4] 1.35V

Характеристики
  • Cl  - 11
  • Trcd  - 11
  • Trp  - 11
  • Количество контактов  - 204
  • Количество модулей в комплекте  - 1
  • Количество ранков  - 1
  • Количество чипов каждого модуля  - 8
  • Напряжение питания  - 1.35 (в)
  • Объем одного модуля  - 4 (гб)
  • Пропускная способность  - 12800 (мб/с)
  • Тактовая частота  - 1600 (мгц)
  • Тип  - DDR3L
  • Упаковка чипов  - двусторонняя
  • Форм-фактор  - SODIMM

Системный интегратор разработки комплексных решений по автоматизации технологических и бизнес-процессов предприятия.

© 2001-2017 Artlink, все права защищены.
РегистрацияЗабыли пароль?Продолжить