Платформа виртуализации - 12 ядер, 24 потока + комплект развертывания.
Двухпроцессорная платформа виртуализации на базе сервера SuperMicro 1U на 12-ти процессорных ядрах, обслуживающая 24 программных потока в пространстве 32Gb оперативной памяти. Рекомендуется виртуализация на базе программного обеспечения ProxMox. К платформе добавлена минимальная сетевая инфраструктура необходимая для создания автономной серверной площадки с удаленным доступом, а также источник бесперебойного питания.
Системы организации электронных архивов и корпоративных интранет-систем
Питание
Возможность замены батарей
Входной коэффициент мощности
Подключение дополнительных батарей
Интерфейсы
Интерфейс ethernet 10/100
Количество выходных разъемов питания (ups)
Количество выходных разъемов питания (общее)
Слот для дополнительных интерфейсов
Тип выходных разъемов питания
Интервалы и время
Время переключения на батарею (мс)
Время работы при полной нагрузке (мин)
Память
Буферизованная (registered)
Пропускная способность (мб/с)
Интервалы и время
Время наработки на отказ (ч)
_Общее
Внешняя скорость передачи данных (мб/с)
Количество модулей в комплекте
Количество чипов каждого модуля
Низкопрофильная (low profile)
Поддержка секторов размером 4 кб
Crucial CT2K16G4RFD4213Оперативная память DDR4 32Gb 2133MHz PC-17000 Crucial ECC Reg (CT2K16G4RFD4213) (2x16Gb KIT)
Характеристики
- Индикатор передачи данных - есть
- Интерфейс - USB 3.0
- Материал корпуса - металл
- Объем памяти - 64 (гб)
Характеристики
- Cl - 16
- Tras - 35
- Trcd - 18
- Trp - 18
- Количество контактов - 288
- Количество модулей в комплекте - 4
- Напряжение питания - 1.2 (в)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Пропускная способность - 21300 (мб/с)
- Радиатор - есть
- Тактовая частота - 2666 (мгц)
- Тип - DDR4
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Буферизованная - есть (registered)
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 2
- Объем одного модуля - 4 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Тактовая частота - 667 (мгц)
- Тип - DDR2
- Форм-фактор - FB-DIMM
Характеристики
- Cl - 5
- Trcd - 5
- Trp - 5
- Буферизованная - есть (registered)
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Количество чипов каждого модуля - 18
- Напряжение питания - 1.8 (в)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 5300 (мб/с)
- Радиатор - есть
- Тактовая частота - 667 (мгц)
- Тип - DDR2
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - FB-DIMM
Qnap RAM-4GDR3EC-LD-1333Оперативная память QNAP ECC 4Gb DDR3 RAM-4GDR3EC-LD-1333 (Старое название SP-4GB-DDR3ECC-LD) для TS-ECx79U-RP, Оперативная память QNAP ECC 4Gb DDR3 RAM-4GDR3EC-LD-1333 (Старое название SP-4GB-DDR3ECC-LD), А0000023045
Характеристики
HP 713983-b21Модуль памяти 8Gb (1x8GB) 2Rx4 PC3L-12800R-11 Low Voltage Registered DIMM for only E5-2600v2 DL360p/380p, ML350p, BL460c Gen8, Модуль памяти HP 8Gb (1x8GB)/713983-B21, А0000027322
Характеристики
Характеристики
- Cl - 14
- Tras - 31
- Trcd - 16
- Trp - 16
- Количество контактов - 288
- Количество модулей в комплекте - 2
- Напряжение питания - 1.2 (в)
- Объем одного модуля - 16 (гб)
- Пропускная способность - 19200 (мб/с)
- Радиатор - есть
- Тактовая частота - 2400 (мгц)
- Тип - DDR4
- Форм-фактор - DIMM
Kingston HX324C11SRK4/32DIMM DDR3 (2400) 32Gb Kingston HyperX Savage HX324C11SRK4/32, комплект 4 шт. по 8Gb, красный радиатор, Retail
Характеристики
- Cl - 11
- Trcd - 13
- Trp - 14
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 4
- Количество ранков - 2
- Количество чипов каждого модуля - 16
- Напряжение питания - 1.65 (в)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Пропускная способность - 19200 (мб/с)
- Радиатор - есть
- Тактовая частота - 2400 (мгц)
- Тип - DDR3
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Ibm 46W0672Модуль памяти DIMM DDR3 16Gb (1x16 ГБ) PC3-12800 2Rx4 LP CL11 ECC IBM 46W0672 (46W0672)
Характеристики
Kingston HX426C13SBK4/32Оперативная память DDR4 32Gb 2666MHz PC-21300 Kingston HyperX Savage (HX426C13SBK4/32) (4x8Gb KIT)
Характеристики
Kingston HX426C13PBK4/32Оперативная память DDR4 32Gb 2666MHz PC-21300 Kingston HyperX Predator (HX426C13PBK4/32) (4x8Gb KIT)
Характеристики
Qnap RAM-4GDR3L-SO-1600Память Qnap RAM-4GDR3L-SO-1600/Оперативная память, объем памяти: 4Gb, тип: SODIMM DDR3, пропускная способность: 12800Mb/с, совместимость: для TS-x51
Характеристики
Характеристики
- Cl - 11
- Trcd - 11
- Trp - 11
- Буферизованная - есть (registered)
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Количество чипов каждого модуля - 36
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 16 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Kingston HX426C13SBK2/16Оперативная память DDR4 16Gb 2666MHz PC-21300 Kingston HyperX Savage (HX426C13SBK2/16) (2x8Gb KIT)
Характеристики
Характеристики
- Cl - 15
- Буферизованная - есть (registered)
- Количество контактов - 288
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Напряжение питания - 1.2 (в)
- Низкопрофильная - есть (low profile)
- Объем одного модуля - 16 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 17000 (мб/с)
- Тактовая частота - 2133 (мгц)
- Тип - DDR4
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 9
- Trcd - 9
- Trp - 9
- Буферизованная - есть (registered)
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Количество чипов каждого модуля - 36
- Напряжение питания - 1.35 (в)
- Объем одного модуля - 16 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 10600 (мб/с)
- Тактовая частота - 1333 (мгц)
- Тип - DDR3L
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 15
- Буферизованная - есть (registered)
- Количество контактов - 288
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Напряжение питания - 1.2 (в)
- Объем одного модуля - 16 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 17000 (мб/с)
- Тактовая частота - 2133 (мгц)
- Тип - DDR4
- Форм-фактор - DIMM
AMD R5316G1609U2KОперативная память DDR3 16Gb 1600MHz PC-12800 AMD (R5316G1609U2K) (2x8Gb KIT)
Характеристики
Fujitsu S26361-F3669-L110Память для контроллера Fujitsu RAID Ctrl FBU option w/25/55/70cm cable RX300S7 (S26361-F3669-L110), Память для контроллера Fujitsu RAID Ctrl FBU option w/25/55/70cm cable RX300S7, А0000026640
Характеристики
Kingston KVR16R11D4/16Kingston ValueRAM KVR16R11D4/16 DDR3 DIMM 16Gb PC3-12800 ECC Registered with Parity CL11
Характеристики
- Cl - 11
- Trcd - 11
- Trp - 11
- Буферизованная - есть (registered)
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Количество чипов каждого модуля - 36
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 16 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 11
- Trcd - 11
- Trp - 11
- Буферизованная - есть (registered)
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Количество чипов каждого модуля - 36
- Напряжение питания - 1.35 (в)
- Объем одного модуля - 16 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3L
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 9
- Trcd - 9
- Trp - 9
- Буферизованная - есть (registered)
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 1
- Количество чипов каждого модуля - 18
- Напряжение питания - 1.35 (в)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 10600 (мб/с)
- Тактовая частота - 1333 (мгц)
- Тип - DDR3L
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 11
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 2
- Количество чипов каждого модуля - 16
- Напряжение питания - 1.65 (в)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Пропускная способность - 15000 (мб/с)
- Радиатор - есть
- Тактовая частота - 1866 (мгц)
- Тип - DDR3
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 11
- Trcd - 11
- Trp - 11
- Количество контактов - 204
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Количество чипов каждого модуля - 18
- Напряжение питания - 1.35 (в)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3L
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - SODIMM
Kingston KVR16R11D8L/8Kingston ValueRAM KVR16R11D8L/8 DDR3 DIMM 8Gb PC3-12800 ECC Registered with Parity, Low Profile CL11
Характеристики
- Cl - 11
- Trcd - 11
- Trp - 11
- Буферизованная - есть (registered)
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Количество чипов каждого модуля - 18
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Низкопрофильная - есть (low profile)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 9
- Tras - 24
- Trcd - 9
- Trp - 9
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 2 (гб)
- Пропускная способность - 10600 (мб/с)
- Тактовая частота - 1333 (мгц)
- Тип - DDR3
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 9
- Trcd - 9
- Trp - 9
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Количество чипов каждого модуля - 18
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 10600 (мб/с)
- Тактовая частота - 1333 (мгц)
- Тип - DDR3
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 9
- Tras - 27
- Trcd - 10
- Trp - 9
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 2
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 4 (гб)
- Пропускная способность - 15000 (мб/с)
- Радиатор - есть
- Тактовая частота - 1866 (мгц)
- Тип - DDR3
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 11
- Trcd - 11
- Trp - 11
- Буферизованная - есть (registered)
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Количество чипов каждого модуля - 18
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 11
- Trcd - 12
- Trp - 12
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Количество чипов каждого модуля - 16
- Напряжение питания - 1.6 (в)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Радиатор - есть
- Тактовая частота - 2133 (мгц)
- Тип - DDR3
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Kingston KHX16C9T3K2/8XKingston DDR3 8Gb (PC3-12800) 1600MHz Kit (2x4Gb) [KHX16C9T3K2/8X] HyperX CL9 XMP Beast Series
Характеристики
- Cl - 9
- Trcd - 9
- Trp - 9
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 2
- Количество ранков - 2
- Количество чипов каждого модуля - 16
- Напряжение питания - 1.65 (в)
- Объем одного модуля - 4 (гб)
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Радиатор - есть
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Crucial CT8G4DFD8213Память DDR4 8Gb (pc-17000) 2133MHz Crucial ECC Reg CL15 Single Rank UDIMM (CT8G4DFD8213)
Характеристики
- Cl - 15
- Количество контактов - 288
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Напряжение питания - 1.2 (в)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Пропускная способность - 17000 (мб/с)
- Тактовая частота - 2133 (мгц)
- Тип - DDR4
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 9
- Trcd - 9
- Trp - 9
- Количество контактов - 204
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 1
- Количество чипов каждого модуля - 9
- Напряжение питания - 1.35 (в)
- Объем одного модуля - 4 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 10600 (мб/с)
- Тактовая частота - 1333 (мгц)
- Тип - DDR3L
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - SODIMM
Характеристики
- Cl - 11
- Trcd - 11
- Trp - 11
- Буферизованная - есть (registered)
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 1
- Количество чипов каждого модуля - 9
- Напряжение питания - 1.35 (в)
- Низкопрофильная - есть (low profile)
- Объем одного модуля - 4 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3L
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 9
- Tras - 27
- Trcd - 9
- Trp - 9
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 4 (гб)
- Пропускная способность - 14900 (мб/с)
- Радиатор - есть
- Тактовая частота - 1866 (мгц)
- Тип - DDR3
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 11
- Trcd - 11
- Trp - 11
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 1
- Напряжение питания - 1.35 (в)
- Объем одного модуля - 4 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3L
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 11
- Trcd - 11
- Trp - 11
- Количество контактов - 204
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 1
- Количество чипов каждого модуля - 9
- Напряжение питания - 1.35 (в)
- Объем одного модуля - 4 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3L
- Упаковка чипов - двусторонняя
- Форм-фактор - SODIMM
Характеристики
- Cl - 11
- Trcd - 11
- Trp - 11
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 1
- Количество чипов каждого модуля - 8
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 4 (гб)
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3
- Упаковка чипов - односторонняя
- Форм-фактор - DIMM
AMD R332G1339U1S-UOОперативная память DDR3 2Gb 1333MHz PC-10600 AMD Black (R332G1339U1S-UO) OEM
Характеристики
- Cl - 9
- Tras - 24
- Trcd - 9
- Trp - 9
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество чипов каждого модуля - 8
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 2 (гб)
- Пропускная способность - 10600 (мб/с)
- Тактовая частота - 1333 (мгц)
- Тип - DDR3
- Упаковка чипов - односторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 9
- Trcd - 9
- Trp - 9
- Количество контактов - 204
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 1
- Количество чипов каждого модуля - 4
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 2 (гб)
- Пропускная способность - 10600 (мб/с)
- Тактовая частота - 1333 (мгц)
- Тип - DDR3
- Упаковка чипов - односторонняя
- Форм-фактор - SODIMM
Характеристики
- Cl - 9
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 1
- Количество чипов каждого модуля - 8
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 2 (гб)
- Пропускная способность - 10600 (мб/с)
- Тактовая частота - 1333 (мгц)
- Тип - DDR3
- Упаковка чипов - односторонняя
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 11
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 4 (гб)
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 9
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 4 (гб)
- Пропускная способность - 10600 (мб/с)
- Тактовая частота - 1333 (мгц)
- Тип - DDR3
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 4 (гб)
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 11
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Пропускная способность - 12800 (мб/с)
- Тактовая частота - 1600 (мгц)
- Тип - DDR3
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 5
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Напряжение питания - 1.8 (в)
- Объем одного модуля - 2 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Тактовая частота - 667 (мгц)
- Тип - DDR2
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Буферизованная - есть (registered)
- Количество контактов - 240
- Количество модулей в комплекте - 1
- Количество ранков - 2
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Поддержка ecc - есть
- Тактовая частота - 1866 (мгц)
- Тип - DDR3
- Форм-фактор - DIMM
Характеристики
- Cl - 9
- Количество контактов - 204
- Количество модулей в комплекте - 1
- Напряжение питания - 1.5 (в)
- Объем одного модуля - 8 (гб)
- Пропускная способность - 10600 (мб/с)
- Тактовая частота - 1333 (мгц)
- Тип - DDR3
- Форм-фактор - SODIMM
Системный интегратор разработки комплексных решений по автоматизации технологических и бизнес-процессов предприятия.
© 2001-2017 Artlink, все права защищены.